Pytanie  |
Odpowiedź |
Tranzystor unipolarny (polowy) rozpocznij naukę
|
|
FET - tranzystor z efektem polowym
|
|
|
co oznacza ze tranzystor jest unipolarny rozpocznij naukę
|
|
Przeplyw prądu przez nośniki większosciowe jednego rodzaju w jednorodnym obszarze półprzewodnika
|
|
|
Co oznacza ze tranzystor jest polowy rozpocznij naukę
|
|
przepływ pradu sterowany przez pole elektryczne
|
|
|
Tranzystor polowy złączowy rozpocznij naukę
|
|
|
|
|
Tranzystory z izolowaną bramką rozpocznij naukę
|
|
|
|
|
Tranzystor JFE- z czego sie składa rozpocznij naukę
|
|
Jendorodna płytka zawierająca elektrody dren i źródlo, trzecia to bramka
|
|
|
Jak spolaryzowane jest zlacze p-n miedzy bramką a płytką rozpocznij naukę
|
|
|
|
|
gdzie wystepuje wasrtwa zaporowa rozpocznij naukę
|
|
w obszarze slabiej domieszkowanym (plytka miedzy zrodlem a drenem)
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
w JFET obszar pomiedzy warstwami zaporowymi, przez ktory moze płynąc prąd drenu Id
|
|
|
Wzrost napięcia zaporowego rozpocznij naukę
|
|
Rozszerza warstwy zaporowe zwężając kanał
|
|
|
Od czego zalezy wartośc pradu drenu Id? rozpocznij naukę
|
|
|
|
|
Od czego zależy napiecie polaryzujace bramke zaporowo rozpocznij naukę
|
|
Zalezy od Napięcia Ugs oraz Uds które rozkładają się wzdłuż płytki między Drenem a Źródłem
|
|
|
Napięcie wynosi... (ze wspolczynnikiem) rozpocznij naukę
|
|
W poblizu drenu Ugs+ k1*Uds, w poblizu zrodla UGS+ k2* Uds k1>k2
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
|
|
|
Czy kanał moze sie zamkanac? rozpocznij naukę
|
|
tak, przy odpowiednio duzej wartosci napięcia Ugs, kanał sie zamyka a prad nie płynie.
|
|
|
Od którego napięcia głównie zalezy prąd drenu? Id? rozpocznij naukę
|
|
Od napięcia Uds, przy jego zwroscie prąd nie moze sie zmniejszyc. Id przy pewnym Uds osiąga granicę
|
|
|
Podstawowa cecha tranzystora polowego rozpocznij naukę
|
|
bardzo mały prąd bramki (nano ampery) oraz gigantyczna rezystancja wejściowa (kilkadziesiąt, kilkaset MEGA ohm)
|
|
|
Najbardziej rozpowrzechniony tranzystor JFET rozpocznij naukę
|
|
z kanałem typu N, bramka typu P
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
ma bramke typu n, wymaga napięc poalryzujących o przeciwnej biegunowości
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
wzmacnianie słabych sygnałów(zwlaszcza przy duzej rezystancji wzmacniacza), bezstykowe elementy przełaczajace, zmienna rezystancja, wzmacniacz duzych czestotliwosci
|
|
|
Tranzystory MOS mają w podłożu półprzewodnika P, dwa obszary. n+. Czym są? rozpocznij naukę
|
|
są to źródło oraz dren. Nad tą przestrzenią na cienkiej warstwie iso. SiO2 napylony jest metal-GATE
|
|
|
Co to jest warstwa inwersyjna? rozpocznij naukę
|
|
Inaczej kanał w transystorze MOS 10-20 mikro metra
|
|
|
Czy kanał przewodzacy może istnieć przy Ugs=0? rozpocznij naukę
|
|
Tak, niektóre tranzystory mają je wbudowane lub wytwarza sie je za pomoca ładunków w SiO2
|
|
|
Transytory MOS normalnie włączone rozpocznij naukę
|
|
maja kanał wbudowany lub zubożały
|
|
|
tranzystory normalnie wyłaczone rozpocznij naukę
|
|
z kanałem indukowanym lub kanałem wzbogaconym
|
|
|
Gdzie używane są tranzystory MOS rozpocznij naukę
|
|
pamięci, procesory (uklady scalone), element wzmacniający, przełączniki analog. wzmacniacze akustyczne
|
|
|
