Pytanie |
Odpowiedź |
|
rozpocznij naukę
|
|
Działanie: Porównuje fazę sygnału wejściowego i powrotnego z VCO. Wyjście: Generuje napięcie proporcjonalne do różnicy faz. Sygnał ten zawiera pożądaną składową stałą (błąd) oraz niechciane składowe wysokiej częstotliwości (do usunięcia).
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
Działanie: Wzmacnia słabe napięcie błędu z filtra LPF, dopasowując je do czułości wejściowej VCO. Cel: Zapewnia odpowiednie wzmocnienie pętli, co jest kluczowe dla szybkości synchronizacji i stabilności układu
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
Działanie: Generator sterowany napięciem. Zmienia częstotliwość sygnału wyjściowego proporcjonalnie do podanego napięcia sterującego (z filtra/wzmacniacza). Cel: Wytwarza sygnał wyjściowy i zamyka pętlę (sygnał wraca do PD).
|
|
|
Powielanie częstotliwości (PLL) rozpocznij naukę
|
|
Metoda: Wstawiamy dzielnik przez N w pętlę sprzężenia (wyjście VCO -> dzielnik -> detektor). Efekt: Aby zrównać fazy na detektorze, VCO musi generować częstotliwość N razy wyższą niż wejściowa. F_out = N * F_in.
|
|
|
Filtr Dolnoprzepustowy (FDP) rozpocznij naukę
|
|
Działanie: Sygnał z detektora jest przepuszczany przez filtr celem usunięcia niepożądanych składowych wysokiej częstotliwości. Wynik: Po filtracji uzyskuje się sygnał napięciowy, który steruje częstotliwością generatora VCO.
|
|
|
Zasada działania (Podział prądu) różnicowego rozpocznij naukę
|
|
Źródło prądowe wymusza stałą sumę prądów emiterów: $I_{C1}+I_{C2} = I_{EE}$. Tranzystory dzielą ten prąd zależnie od różnicy napięć wejściowych. Jeśli $V_{in1} > V_{in2}$, T1 przewodzi mocniej (zabiera prąd), a prąd T2 maleje.
|
|
|
Przekreślone Wykresy (Równowaga) różnicowego rozpocznij naukę
|
|
Wykresy prądów kolektorów ($I_C$) przecinają się w zerze, gdzie $V_{in1}=V_{in2}$ a prądy są równe ($0.5 I_{EE}$). Tworzą kształt "X", bo suma prądów jest stała – wzrost prądu jednego tranzystora wymusza identyczny spadek drugiego.
|
|
|
Wysterowanie jednego wejścia (Nasycenie) rozpocznij naukę
|
|
Gdy różnica napięć wejściowych jest duża, cały prąd $I_{EE}$ płynie przez jeden tranzystor, a drugi jest całkowicie zatkany ($I_C=0$). Na wykresie to płaskie odcinki (nasycenie). Układ działa wtedy jak przełącznik prądu.
|
|
|
CMRR (Common-Mode Rejection Ratio) rozpocznij naukę
|
|
Współczynnik określający zdolność wzmacniacza do odrzucania sygnałów jednakowych na obu wejściach (wspólnych) i wzmacniania tylko różnicy między nimi. Idealnie: Układ w ogóle nie powinien reagować na zakłócenia wspólne.
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
Im wyższy CMRR, tym mniejszy wpływ szumów i asymetrii elementów na sygnał wyjściowy. Skutek: Wysoki CMRR zapewnia większą precyzję działania wzmacniacza, ponieważ skuteczniej tłumi zakłócenia środowiskowe
|
|
|
Lustro Prądowe (Obciążenie Aktywne) rozpocznij naukę
|
|
Zastąpienie rezystorów $R_C$ tranzystorami T1/T2 (lustro) tworzy obciążenie aktywne. Działają one jak źródła prądowe o ogromnej rezystancji dynamicznej. Skutek: Wzmocnienie napięciowe ($A \approx g_m R_{obc}$) drastycznie rośnie.
|
|
|
Sumowanie prądów (2x) lustro rozpocznij naukę
|
|
Lustro kopiuje prąd z lewej gałęzi ($+\Delta I$) do prawej. W węźle wyjściowym sumuje się on z prądem dolnym, dając łącznie $2\Delta I$. Dzięki temu mechanizmowi w pełni wykorzystujemy sygnał z obu tranzystorów na jednym wyjściu.
|
|
|
Konwersja na wyjście niesymetryczne rozpocznij naukę
|
|
Lustro prądowe idealnie konwertuje wejściowy sygnał różnicowy na pojedynczy sygnał wyjściowy względem masy (single-ended). Dzieje się to bez utraty połowy wzmocnienia, co jest kluczowe np. na wejściu wzmacniaczy operacyjnych.
|
|
|
Sygnał Różnicowy vs Współbieżny (Sumacyjny) rozpocznij naukę
|
|
Różnicowy ($U_d$): Różnica potencjałów ($U_1 - U_2$). To jest użyteczna informacja, którą wzmacniamy. Współbieżny/Sumacyjny ($U_{cm}$): Średnia napięć wejściowych ($\frac{U_1+U_2}{2}$). To "tło" lub zakłócenie obecne na obu wejściach, które chcemy usunąć.
|
|
|
Czynniki poprawiające CMRR rozpocznij naukę
|
|
Rezystancja źródła prądowego ($R_{EE}$): Najważniejszy czynnik! Im większa rezystancja w ogonie (Acm = -Rc/2Ree), tym silniejsze tłumienie sygnału wspólnego. Symetria: Idealne dopasowanie parametrów obu tranzystorów i rezystorów $R_C$.
|
|
|
Analiza Punktu Pracy (. OP) rozpocznij naukę
|
|
Co robi: Oblicza statyczne napięcia i prądy w układzie przy zasilaniu stałym (DC). Klucz: Kondensatory traktuje jako przerwy, cewki jako zwarcia. Jest to punkt wyjścia dla innych analiz (np. AC).
|
|
|
Analiza Stałoprądowa (. DC) rozpocznij naukę
|
|
Przemiata (zmienia krokowo) wartość wybranego źródła lub parametru w zadanym zakresie. Zastosowanie: Służy do wykreślania charakterystyk statycznych. Przykład: Wykres prądu diody I(U) lub charakterystyka przejściowa wzmacniacza (V_{wy} od V_{we}).
|
|
|
Analiza Zmiennoprądowa (. AC) rozpocznij naukę
|
|
Analiza małosygnałowa w dziedzinie częstotliwości. Linearyzuje obwód w punkcie pracy. Zastswnie: Wykreślanie charakterystyk częstotliwościowych (Bode plot) – np. pasmo przenoszenia filtrów czy wzmacniaczy. Wada: Nie widzi nieliniowości (zniekształceń).
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
Co robi: Analiza wielkosygnałowa w dziedzinie czasu (jak oscyloskop). Rozwiązuje równania różniczkowe krok po kroku. Zastosowanie: Obserwacja kształtu sygnału, zniekształceń, stanów nieustalonych i procesów nieliniowych
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
AC: Szybka, idealna do badania pasma przenoszenia (filtry, wzmacniacze), ale zakłada liniowość (nie pokaże znksztłcń). TRAN: Wolna, ale pokazuje prawdę o nieliniowościach (obcinanie sinusoidy, znksztłcna skrośne). Używamy, gdy ważny jest kształt sygnału.
|
|
|
Symulacja Mieszacza na diodach rozpocznij naukę
|
|
Analizą. AC. Dlaczego: Mieszanie to proces ściśle nieliniowy (powstawanie nowych częstotliwości). Analiza AC linearyzuje diody (zastępuje je rezystorem dynamicznym), więc na wyjściu nie pojawią się nowe częstotliwości. Trzeba użyć. TRAN.
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
Przede wszystkim od dokładności modeli elementów (bibliotek). Jeśli model tranzystora jest słaby, wynik będzie błędny. Inne czynniki: Ustawienia zbieżności (tolerancje), wybrany krok czasowy w analizie TRAN (zbyt duży krok = kanciasty wykres i błędy)
|
|
|
Problemy trudne do symulacji SPICE rozpocznij naukę
|
|
Pasożyty montażowe: Pojemności ścieżek, sprzężenia między cewkami (chyba że sami je dodamy do schematu). Wzajemne nagrzewanie się elementów na płytce (stała temp dla wszystkich w zwkłm SPICE). Szumy i zakłócenia: Zewnętrzne pola EM wpływające na układ.
|
|
|
Struktura pliku SPICE (. cir) rozpocznij naukę
|
|
Plik zawiera opis obwodu i instrukcje. Program nie rozróżnia wielkości liter. Ramy pliku: Pierwsza linia to zawsze tytuł (może być dowolny tekst). Ostatnia linia musi zawierać komendę. END. Kolejność linii w środku jest dowolna.
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
Każdy element musi mieć unikalną nazwę. Typ elementu: Pierwsza litera nazwy jest kluczowa i określa typ elementu (np. R dla rezystora, C dla kondensatora). Zasada: Po nazwie podajemy numery węzłów, a potem wartość.
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
Podłączenie Pomiar napięcia: Równolegle do elementu (wymagana duża $R_{we}$). Pomiar prądu: Szeregowo (wymagana mała $R_{we}$), trzeba przerwać obwód! Pomiar rezystancji: Tylko na elemencie odłączonym od zasilania (multimetr sam podaje prąd testowy).
|
|
|
Oscyloskop Cyfrowy - Działanie Zasada rozpocznij naukę
|
|
Działanie Zasada: Przetwornik A/C próbkuje napięcie w czasie. Co pokazuje: Wykres napięcia w funkcji czasu $U(t)$. Zastosowanie: Obserwacja kształtu przebiegu, pomiar amplitudy, okresu, częstotliwości, przesunięcia fazowego i szukanie zakłóceń.
|
|
|
Oscyloskop - Sprzężenie AC/DC rozpocznij naukę
|
|
Sprzężenie DC: Pokazuje pełny sygnał (składowa stała + zmienna). Widzisz offset napięcia. Sprzężenie AC: Wstawia kondensator szeregowo. Odcina składową stałą. Używane do obserwacji małych tętnień (szumów) na dużym napięciu zasilania.
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
Cel: Stabilizacja obrazu na ekranie. Działanie: Oscyloskop zaczyna rysować wykres (akwizycję) dopiero, gdy sygnał przekroczy ustawiony poziom napięcia (Level) przy konkretnym nachyleniu zbocza (Slope: narastające/opadające).
|
|
|
Rezystancja wewnętrzna (Efekt obciążenia) rozpocznij naukę
|
|
Woltomierz: Idealny ma $R=\infty$. Rzeczywisty (np. $10M\Omega$) pobiera prąd i zaniża napięcie w obwodach wysokorezystancyjnych. Amperomierz: Idealny ma $R=0$. Rzeczywisty dodaje opór do obwodu, zmniejszając mierzony prąd.
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
Co robi: Tłumi sygnał 10-krotnie. Po co: Zwiększa rezystancję wejściową (z $1M\Omega$ do $10M\Omega$) i zmniejsza pojemność wejściową sondy. Zaleta: Mniej obciąża badany układ, co jest kluczowe przy pomiarach wysokich częst
|
|
|
Pasmo przenoszenia (Bandwidth) rozpocznij naukę
|
|
Definicja: Częstotliwość, dla której mierzona amplituda spada o 3dB (do ok. 70% wartości rzeczywistej). Reguła: Pasmo oscyloskopu powinno być co najmniej 3-5 razy większe niż częstotliwość mierzonego sygnału, aby nie zniekształcać zboczy.
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
Różnica wartości rzeczywistej i zmierzonej: $\Delta x = |x_{rzeczywiste} - x_{zmierzone}|$. Błąd względny: Stosunek błędu bezwzględnego do wartości rzeczywistej w procentach: $\delta = \frac{\Delta x}{x_{rzeczywiste}} \cdot 100\%$
|
|
|
Rodzaje błędów i ich minimalizacja rozpocznij naukę
|
|
Typy: 1. Systematyczne (zła metoda/przyrząd), 2. Przypadkowe (losowe wahania), 3. Grube (pomyłki). Minimalizacja: Kalibracja, stosowanie dokładniejszych przyrządów oraz wykonywanie pomiarów wielokrotnych.
|
|
|
Niepewność pomiarowa (Typ A i B) rozpocznij naukę
|
|
Określa przedział, w którym leży wartość rzeczywista. Typ A: Wyznaczana statystycznie z serii pomiarów. Typ B: Wynika z dokładności przyrządu (karty katalogowej). Łączna: Pierwiastek sumy kwadratów: $u_c = \sqrt{u_A^2 + u_B^2}$.
|
|
|
Budowa złącza p-n (Nośniki) rozpocznij naukę
|
|
Obszar n: Nośniki większościowe: elektrony. Mniejszościowe: dziury. Jony domieszki: dodatnie donory. Obszar p: Nośniki większościowe: dziury. Mniejszościowe: elektrony. Jony domieszki: ujemne akceptory.
|
|
|
Obszar zubożony (Powstawanie) rozpocznij naukę
|
|
Mechanizm: Prąd dyfuzyjny elektronów i dziur pozostawia w obszarze granicznym nieruchome jony domieszek. Efekt: Powstaje warstwa ładunku przestrzennego (obszar zubożony) i pole elektryczne $E$ skierowane od $n$ do $p$, tworzące barierę potencjału.
|
|
|
Równowaga termodynamiczna złącza rozpocznij naukę
|
|
Stan: Prąd dyfuzyjny (wynikający z różnicy stężeń) jest równoważony przez prąd unoszenia nośników mniejszościowych (wywołany polem elektrycznym bariery potencjału). Wypadkowy prąd wynosi zero.
|
|
|
Polaryzacja w kierunku przewodzenia rozpocznij naukę
|
|
Działanie: Zewn. pole elektryczne jest przeciwne do pola w złączu. Skutek: Bariera potencjału maleje, obszar zubożony się zwęża. Rośnie prawdopodobieństwo przejścia nośników większościowych $\rightarrow$ płynie duży prąd dyfuzyjny.
|
|
|
Polaryzacja w kierunku zaporowym rozpocznij naukę
|
|
Działanie: Zewn. pole elektryczne jest zgodne z polem w złączu. Skutek: Bariera potencjału rośnie, obszar zubożony się rozszerza. Prąd dyfuzyjny zanika. Płynie tylko pomijalnie mały prąd unoszenia (wsteczny)
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
Funkcja: Przewodzi prąd tylko w jednym kierunku (prostowanie). Główne parametry: Maksymalny prąd przewodzenia ($I_F$), maksymalne napięcie wsteczne ($U_R$), spadek napięcia w stanie przewodzenia oraz prąd upływu.
|
|
|
Wpływ temperatury na diodę rozpocznij naukę
|
|
Wpływ temperatury na diodę
|
|
|
Dioda Prostownicza (Zasada działania) rozpocznij naukę
|
|
Wykorzystuje własności złącza p-n do przepuszczania prądu tylko w jedną stronę. W kierunku przewodzenia bariera potencjału maleje (prąd płynie swobodnie), a w kierunku zaporowym bariera rośnie, blokując przepływ nośników.
|
|
|
Dioda Zenera (Zasada działania) rozpocznij naukę
|
|
W kierunku przewodzenia działa standardowo. Specyficzna w kierunku zaporowym: po przekroczeniu napięcia przebicia ($U_Z$) gwałtownie zaczyna przewodzić prąd (przebicie lawinowe/Zenera), utrzymując na zaciskach stałe napięcie.
|
|
|
Dioda LED (Zasada działania) rozpocznij naukę
|
|
Przyrząd półprzewodnikowy zamieniający energię elektryczną na świetlną (elektroluminescencja). Podczas przepływu prądu w kierunku przewodzenia następuje rekombinacja nośników, a wydzielana energia emitowana jest jako fotony.
|
|
|
Dioda Tunelowa (Zasada działania) rozpocznij naukę
|
|
Posiada bardzo cienkie złącze i silne domieszkowanie. Dzięki kwantowemu zjawisku tunelowemu wykazuje w części charakterystyki ujemną rezystancję dynamiczną – w tym zakresie wzrost napięcia powoduje paradoksalny spadek prądu.
|
|
|
Parametry Diody Prostowniczej rozpocznij naukę
|
|
U_R (Nap. wsteczne): Maks. napięcie "pod prąd", które dioda wytrzyma bez przebicia (zniszczenia). Prąd upływu: Śladowy prąd płynący, gdy dioda powinna być zamknięta. U_F (Spadek napięcia): Napięcie tracone na diodzie podczas pracy (zamieniane na ciepło).
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
$U_Z$ (Nap. Zenera): Stałe napięcie, jakie dioda utrzymuje na sobie w kierunku zaporowym (stabilizacja). $TKU_Z$: Mówi, jak zmienia się napięcie stabilizacji pod wpływem ciepła. Dla diod $<5V$ napięcie maleje z temperaturą, dla $>5V$ rośnie.
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
Długość fali: Decyduje o kolorze światła. Maks. nap. wsteczne: Dla LED jest krytycznie niskie (ok. 5V). Odwrotne podłączenie pod wyższe napięcie pali diodę! Skuteczność świetlna: Sprawność – ile światła otrzymujemy z 1 Wata energii.
|
|
|
Parametry Diody Tunelowej rozpocznij naukę
|
|
Punkt Szczytu (I_P, U_P): Maksymalny prąd, po którym następuje jego nietypowy spadek. Punkt Doliny (I_V, U_V): Moment, w którym prąd przestaje spadać i zaczyna normalnie rosnąć. Rezystancja ujemna: Zakres między nimi, gdzie wzrost napięcia obniża prąd.
|
|
|
Dioda Zenera a Temperatura rozpocznij naukę
|
|
Zależy od mechanizmu przebicia:<5V (Zener): Ciepło zmniejsza przerwę energetyczną > łatwiejsze tunelowanie > napięcie maleje (ujemny wsp.).>5V (Lawinowe): Ciepło zwiększa drgania sieci krystalicznej > hamuje elektrony > napięcie rośnie (dodatni wsp.).
|
|
|
|
rozpocznij naukę
|
|
Zjwsk kwantowe polegające na przenikaniu cząstki (elektronu) przez barierę potencjału, mimo że ma ona za małą energię, by pokonać ją "górą". Bariera musi (złącze p-n) musi być bardzo cienka. Osiąga się to przez bardzo silne domieszkowanie półprzewodnika.
|
|
|