unipolarne

tranzystor unipolarny

element pp o wlasciwosciach wzmacniajacych w ktorym sterowanie przeplywem pradu odbywa sie za pomoca pola elektrycznego

budowa tr unj

G-bramka. D-dren. S-źródło. B-podłoze

zasada dzialania

polega na sterowanym transporcie jrdnego rodzaju nosnikow. sterowanie transportem odbywa sie w czesci zwanej kanalem. odbywa sie za posrednictwem zmian pola ele. przylozonego do bramki. w wyniku oddzialywania pola ele. kanal moze sie zwezac lub rozszerzac

budowa MOSFET

tranzystor polowy, w ktorym bramka jest oddzielona od kanalu cienka warstwa izolacyjna najczesciej utworzonej z dwutlenku SiO2. dzieki odizolowaniu bramki niezaleznie od polaryzacji teorytycznie nie plynie przez nie zaden prad.

MOSFET z kanalem zubozalym

normalnie wlaczone, tj. takie w ktorych istnieje kanal przy zerowym napieciu bramka-zrodlo

MOSFET z kanalem wzbogacanym

normalnie wylaczone kanal tworzy sie dopiero gdy napiecie bramka-zrodlo przekroczycharakterystyczna wartosc

zasada dzialania MOSFET

jeden rodzaj nosnikow plynal od zrodla do drenu. wyroznia sie dwa zakresy pracy. zakres nasycenia i zakres nienasycenia

zakres pracy

zakres pracy tranzystora seterminuje napiecie dren-zrodlo, jezeli jest ono wieksze od napiecia nasycenia wowczas tranzystor znajduje sie w zakresie nasyceni

tranzystor igbt

grupa energoelektronicznych przyrzadow mocy ktorych budowa jest polaczenie. korzysrnych wlasciwosci tranzystora polowego (sterowanie napieciowe) oraz tranzystora bipolarnego(duzy prad kolektora i maly spadek napiecia Uce)

zastosowanie igbt

falowniki, uklady sterowania silnikami z regulacja impulsowa w ukladach zasilania awaryjnego

obszar omowy

napiecie Vds jeat male, prad drenu zalezy od niego proporcjonalnie. zmiana Vgs powoduje zmia e rezystancjk kanalu, JFET zachowuje sie jak sterowany nalieciowo rezystor

obszar odviecia

napiecie Vgs jest ujemne, kanal zostaje zatkany, nie plynie prad. tranzystor zachowuje sie jak przerwa, ma bardzo wysoka rezystancje

obszar nasycenia

JFET staje sie sobrym przewodnikiem kontrolowanym przez napiecie Vgs, napiecie dren-zrodlo ma maly wplyw na prad drenu lub zaden

obszar przebicia

napiecie Vds staje sje na tyle wysokie, ze przebija kanal i prad plynie przez niego w sposob niekontrolowany